新浪科技訊 北京時間10月4日早間消息，IBM的研究人員近期宣布，已經攻克了碳納米管生產中的一個主要挑戰，這將有助于生產出具有商業競爭力的碳納米管設備。
過去幾十年，半導體行業嘗試向單塊計算機芯片中集成更多硅晶體管，從而不斷加強芯片的性能。不過，這一發展很快就將遭遇物理極限。目前，IBM的研究人員表示，憑借“重要的工程突破”，碳納米管晶體管替代硅晶體管未來將成為現實。
碳納米管有著良好的電特性和熱特性，從理論上來說可以成為電路的基礎，并帶來更快的速度和更好的能效。不過，生產基于碳納米管晶體管的商用設備面臨著制造方面的多重挑戰。此次，IBM的研究人員解決了其中一項挑戰：如何將碳納米管與金屬觸點進行連接。
IBM的研究人員改變了1個碳納米管和2個金屬觸點之間的界面。在制造碳納米管晶體管時，傳統做法是在碳納米管上進行金屬觸點沉積。而目前，IBM的研究人員將金屬觸點置于碳納米管的底部，通過反應形成不同的化合物。通過這種方式，IBM的研究人員證明，尺寸小于10納米的金屬觸點不會影響碳納米管的性能。(目前，硅芯片的頂級制造工藝為14納米。)
IBM納米管項目研究負責人威爾弗雷德·哈恩什(Wilfried Haensch)表示，新方法的成功意味著，向碳納米管晶體管的電流傳送將不再取決于金屬觸點的長度。很明顯，這樣的晶體管能實現足夠小的尺寸。IBM計劃在2020年之前為碳納米管技術做好準備，而這一突破是其中的重要一步。
不過哈恩什承認，碳納米管商用還存在其他技術難題，而此項工作僅僅解決了商用碳納米管面臨的三大挑戰之一。另一個挑戰在于，納米管有兩種形式：金屬和半導體。只有半導體形式的納米管才能被用于晶體管。因此，工程師需要更好地分離金屬納米管和半導體納米管。另一大挑戰在于開發可靠的非光刻工藝，使數十億個納米管準確排布在芯片上。(維金)
